Effet du couple temps-température sur l'élaboration du ternaire CIS par spray pyrolysis

M Rafi, Y Arba, B Hartiti, A Ridah, P Thevenin
2010 Afrique SCIENCE   unpublished
Dans ce travail nous avons élaboré des couches minces de CIS (CuInS 2) par la technique de pulvérisation atomique dite « Spray pyrolysis » sur des substrats en verre préchauffés à partir de solution chimique à base de chlorure de cuivre, chlorure d'indium et la thiourée. Ensuite nous avons étudié l'effet du couple température du substrat sur l'élaboration du ternaire CIS en utilisant les différentes techniques de caractérisation: diffraction des rayons X (XRD), microscopie électronique de
more » ... ectronique de balayage (MEB), l'analyse élémentaire (EDX), la transmission et spectroscopie Raman. Les résultats expérimentaux obtenus ont permis de vérifier que les couches de CIS sont relativement uniformes sur les substrats préchauffés à 375°C et pendant un temps de pulvérisation de 90 min, l'analyse structurale par diffraction des rayons X a montré que tous les films déposés sont de structure chalcopyrite avec une orientation préférentielle selon la direction <112>. Les mesures optiques ont montré que les couches déposées dans les conditions (375°C-90 min) présentent une énergie de gap de 1,5 eV une valeur optimale pour un bon absorbeur. Abstract Effect of the couple temps-temperature on the growth of ternary CIS by spray pyrolysis In this work, thin films of CIS (CuInS 2) are prepared by atomic pulverization technique « Spray pyrolysis » onto glass substrates. Copper chloride, indium chloride and thiourea were used as a starting material. The structural, morphological and optical properties of the prepared films were analyzed by X-ray diffraction, scanning electron microscope (SEM) energy dispersive spectrometer (EDS) transmittance and Raman spectroscopy The effect of the substrate temperature and the time of spray, on the structural, chemical stoichiometry, topographical, optical proprieties of CIS thin films were investigated.EDX result demonstrated that stoichiometric CuInS 2 film can be adjusted through changing the substrate temperature and the time of spray. Chalcopyrite structure of this film was confirmed by XRD analysis. The near stoichiometric CuInS 2 film has the optical band gap Eg of 1.5 eV is observed from the thin film prepared under condition (375°C-90 min) Afrique SCIENCE 06(1) (2010) 86-91 M. RAFI et al.
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