I-V characteristics of polycrystalline silicon resistors

G. Baccarani, M. Impronta, B. Riccò, P. Ferla
1978 Revue de Physique Appliquée  
2014 On examine ici les propriétés des résistors en silicium polycristallin. La méthode employée est basée sur un mécanisme de transfert thermionique-diffusif, et prévoit que la capture des charges mobiles s'effectue aux bords des grains. Cette théorie s'accorde parfaitement avec les caractéristiques expérimentales I-V et nous permet de déterminer la valeur moyenne de la dimension des grains. Abstract. 2014 The electrical properties of polycrystalline silicon resistors in the non-linear regime
more » ... non-linear regime are examined. The adopted model is based on a thermionic-diffusion transport mechanism, and assumes charge trapping at the grain boundary. The theory closely fits experimental I-V characteristics, and allows for the determination of the average grain size. REVUE DE PHYSIQUE APPLIQUÉE TOME 13, DÉCEMBRE 1978,
doi:10.1051/rphysap:019780013012077700 fatcat:c77br5yccfauziixwnmarwzx2e