1) Program Magister Ilmu Fisika, Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam, Universitas Brawijaya 2) Jurusan Fisika, Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam, Universitas Brawijaya Diterima 21 Juli 2017, direvisi 26 Oktober 2017 ABSTRAK Telah dilakukan proses etsa kristal SiO2 menggunakan metode etsa basah dengan larutan etchan KOH. Proses etsa dilakukan dengan menggunakan konsentrasi larutan KOH 40% dengan variasi waktu etsa 0,5 jam, 1 jam, 1,5 jam. Pada penelitian ini metode etsa

more »

... h dilakukan dengan mengoptimasi waktu etsa terhadap pembuatan profil pada QCM dengan menggunakan bahan masking SnCl2.2H2O yang di deposisi dengan teknik Spray Coating. SnCl2.2H2O dipilih sebagai bahan masking karena memiliki sifat adesif terhadap SiO2, tidak reaktif terhadap larutan etsa KOH dan tahan korosi serta biaya yang murah. Hasil permukaan profil etsa dan kedalaman etsa (z) ditentukan dengan menggunakan topography measurement system (TMS 1200). Hasil perhitungan laju etsa dengan KOH 40% selama waktu etsa 0,5 jam, 1 jam, 1,5 jam diperoleh laju etsa masing-masing sebesar 4,36µm, 4,56µm dan 5,79µm. Pola permukaan QCM yang optimal diperoleh KOH 40% dengan waktu 1 jam dengan laju etsa 4,56 µm/jam dan pola etsa membentuk pola isotropik. Kata Kunci: Masking, SnCl2.2H2O, Kristal SiO2, larutan KOH, dan laju etsa. ABSTRACT SnCl2.2H2O has been successfully utilized to produce isotropic profile on the surface of a SiO2 crystall by a wet etching procces. The etching process was carried out by using a 40% KOH solution. In this research, the wet etching method is carried out by optimizing the etch time which was varied for 0.5 hour, 1 hour, 1,5 hour. The profile was determined by applying a SnCl2.2H2O on the surface of a QCM. The mask was applied by using a spray coating technique. The SnCl2.2H2O material was chosen as the masking material because it has a high adhesive property to SiO2, does not react to the KOH etching solution and is corrosion resistance as well as low cost. The etching profile surface results and etch depth (z) were determined using topography measurement system (TMS 1200). The etching rate with 40% KOH during etching time of 30 minutes, 60 minutes, 90 minutes were 4.36 μm, 4.56 μm and 5.79 μm respectively. The optimum QCM surface isotropic profile was obtained at the etching rate of 4.56 μm / h by 60 minutes etching.