2014 On compare, pour les types normally-on et normally-off, l'évolution des caractéristiques I-V de MESFET-GaAs de structure plane à canal long sous l'effet d'une polarisation du substrat. On montre que l'interprétation des résultats nécessite de tenir compte, en plus de la zone de charge d'espace Schottky, d'une zone déserte à l'interface canal-substrat ainsi qu'à la surface de l'espace source-grille. Cette dernière, qui n'a qu'une influence mineure pour le type normally-on, dégrade fortement

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... le courant du FET normally-off et limite les tensions de seuil positives réalisables. D'autre part, le confinement des porteurs entre deux charges d'espace conduit à une description théorique simple du canal hors neutralité, ce qui permet un contrôle précis de la tension de seuil, même pour les couches très minces. Abstract. 2014 The variations of I-V characteristics under substrate bias are compared for normallyon and normally-off type planar GaAs-MESFETs with long-channel. The experimental results are interpreted by superimposing to the Schottky gate space-charge region both a depleted layer at the channel-substrate interface and a depleted surface region between source and gate. This last one is only of minor influence on normally-on characteristics, but strongly reduces the normally-off current and limits the achievable positive threshold voltages. On the other hand, the carrier confinement between two space-charge layers leads to a simple theoretical model for the no-neutral channel, allowing an accurate threshold voltage control even for very thin layers. REVUE DE PHYSIQUE APPLIQUÉE TOME 13, DÉCEMBRE 1978,