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Electronic Structure of GaxIn1-xSbyAs1-y: Band Alignments Based on UTB Calculations
GaxIn1-xSbyAs1-y의 전자적 구조: UTB 방법에 의한 밴드정렬상태
2011
Applied Science and Convergence Technology
GaxIn1-xSbyAs1-y의 전자적 구조: UTB 방법에 의한 밴드정렬상태
의 성분비 x와 y에 따른 최고 가전자 띠와 최저 전도 띠 준위변화를 구하였다. GaxIn1-xSbyAs1-y을 GaSb와 InAs 격자 정합 시켜 경계면에서의 밴드정렬상태를 구해 본 결과 성분비에 따라 제 II형과 제 III형 사이의 밴드정렬형태의 전이가 일어남을 알 수 있었다. GaxIn1-xSbyAs1-y를 GaSb에 격자 정합 시켰을 때 x ≥ 0.15에서 제 III형 밴드정렬이었던 것이 x ≥ 0.81에서는 제 II형의 밴드정렬 상태로 전이되며, 이와 반대로 GaxIn1-xSbyAs1-y를 InAs에 격자정합 시켰을 때 x ≥ 0.15에서 제 II형 밴드 정렬이 x ≥ 0.81에서 제 III형 밴드정렬로 전이됨을 알 수 있었다. 주제어 : GaInAsSb, 밴드정렬, 최고 가전자띠 준위, 최저 전도띠 준위, 범용적 밀접결합 * [전자우편] kshim@kyonggi.ac.kr I. 서 론 III-V 이원화합물을 혼합시켜 만든 다원화합물 반도체는 혼합성분이나 성분비에 따라
doi:10.5757/jkvs.2011.20.6.461
fatcat:t2py2cr7u5crrhq265q7u3m6su