L'oxyde de zinc ZnO est un semi-conducteur piézo-électrique à grand gap (3.3 eV à 300K) potentiellement intéressant pour les diodes émettant dans le bleu ou l'UV. Des films de ZnO peuvent être obtenus par PLD (Pulsed Laser Déposition) en utilisant un faisceau laser nanoseconde et une longueur d'onde d'ablation correspondant au domaine d'absorption photonique du matériau à ablater (i.e. inférieure à 370 nm pour ZnO). Nous montrons qu'il est possible d'obtenir des couches de ZnO de bonne qualité

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... partir d'un laser à colorant opérant à 620 nm sous 10 Hz avec des durées d'impulsion de 90 fs. Les films sont synthétisés sur des substrats de saphir ou de silice à 700°C sous faible pression d'oxygène (10" 4 mbar). Les films obtenus possèdent une bonne morphologie de surface (exempte de gouttelettes) ; ils sont stoechiométriques, monophasés (phase hexagonale), textures (001) et présentent des relations d'épitaxie dans le cas d'un substrat de saphir.