SELECTIVE EPITAXY BASE FOR BIPOLAR TRANSISTORS

J. N. BURGHARTZ, B. J. GINSBERG, S. R. MADER, T.-C. CHEN, D. L. HARAME
1988 Le Journal de Physique Colloques  
Un transistor dont la base est prepark par ipitaxie sklective a kt6 fabriqd avec une largeur de base & 1 l00A et une rkkhnce & de la base intridque de 2800!2/0. Nous dknontrons qu'il est possible d'uthx une largeur de base inftrieure 1 l000A si les cycles thenniques ap&s le %at de la base sont minim&s. L'utilisation de wuches minces epitaxiks pour la base intrindque permet d'tviter les di5lcul3s liks H la formation des espaceurs, en limitant la nuclkation sur b silicium polycristallin de la
more » ... extrindque H la peripherie & l ' m u r . L'interface poly/epi est orient& suivant un plan (1 11). Ceci conduit H une degradation des characteristiques des dispositifs H cause de I'ktaiement lateral de la base extrinshue en dessous &s espaceurs. A Selective Epitaxy Base Transistor (SEBT) is presented with a basewidth of 1 l00A and an intrinsic base sheet resistance of 2800!2/0. It is demonstrated that a sub-1000A basewidth is possible if the temperature-time cycles after base deposition are minimal. Using thin epitaxial layers to fonn the intrinsic base avoids difliculties in sidewall formation caused by nucleations on the extrinsic base polysilicon at the emitter window perimeter. The polylepi interface was found to be on a (1 11) plane. This leads to a degradation of the device characteristics due to extrinsic base encroachment underneath the sidewall.
doi:10.1051/jphyscol:1988476 fatcat:5secvmfcrffaha4wyempi6cqgy