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Modification of monolayer-thick semiconductors by ultra-low energy ion implantation
[thesis]
Die vorliegende Doktorarbeit beschäftigt sich mit der ultra Niederenergie (ULE) Ionenimplantation zur Modifikation von 2D Materialien wie Graphen und Übergangsmetalldichalcogeniden (TMDs). Das bestehende Implantationssystem wird auf zwei Ebenen modifiziert. Durch die Entwicklung einer Sputter Ionenquelle lassen sich die zur Verfügung stehenden Elemente zur Implantation durch Elemente mit hohem Schmelzpunkt und niedrigem Gasdruck erweitern. Des Weiteren wird die Implantationskammer zusammen mit
doi:10.53846/goediss-9105
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