S-образные вольт-амперные характеристики мощных диодов Шоттки при больших плотностях тока

А.Г. Тандоев, Т.Т. Мнацаканов, С.Н. Юрков
2020 Журнал технической физики  
Проведен последовательный учет влияния совокупности квазинейтральных режимов переноса носителей заряда в полупроводниках, включающей в себя наряду с диффузией и дрейфом обнаруженный недавно режим диффузии, стимулированной квазинейтральным дрейфом (DSQD). Исследован порядок смены режимов переноса носителей заряда в структурах диода Шоттки, и показано, к каким особенностям вольт-амперных характеристик это может приводить. Результаты аналитического исследования особенностей проверены и
more » ... с помощью численного моделирования. Ключевые слова: перенос носителей заряда в полупроводниках, мощные диоды Шоттки, вольт-амперная характеристика, режимы переноса носителей.
doi:10.21883/ftp.2020.05.49264.9339 fatcat:oyxjncdytbdobpgl7k3d42o3ni