INCORPORATION DU PHOSPHORE DANS CdTe PAR RECUIT LASER

C. Uzan, R. Legros, Y. Marfaing
1983 Le Journal de Physique Colloques  
Rksum6 -La m6thode du recuit laser a Bt6 utilis6e pour incorporer du phosphore dans CdTe 1 partir d'une couche de Cd3P2 dkpos6e en surface. La caract6risation par photoluminescence et mesure de profil B l'analyseur ionique montre le caractkre actif du phosphore introduit et permet dr6valuer B 1018cm-3 la concentration atteinte B 1 vm de profondeur. Abstract -Laser annealing experiments have been performed in order to incorporate phosphorus into CdTe from a Cd3P2 surface deposited layer.
more » ... ited layer. Characterization by photoluminescence and SIMS profiling shows that at least a part of the introduced phosphorus is in an active £ o m and gives a determination of the concentration obtained at 1 ~m depth : l~l~c m -~. I -INTRODUCTION Les travaux de recherche ant6rieurs T I ] entrepris pour obtenir du CdTe de type p en introduisant du phosphore par recuit thermique n'ont jamais abouti B une concentration nette de trous sup6rieure B 1017cm-~. Ceci est dO B la forte compensation du phosphore introduit par ce procede et 1 la formation d'associations et de complexes du phosphore avec les d6fauts natifs qui reduisent la concentration d'impuret6s actives [2,3] . Dans notre experience on espkre profiter des particularites du recuit laser : temps dfCchauffement et de trempe trbs rapides (1 ms) afin de rCduire la formation de ces complexes et pr6cipites et ainsi parvenir B un surdopage superficiel de CdTe. Cet article presente successivement la description du dispositif experimental et la preparation du mat6riau utilis6, 1'6tude des conditions de recuit propices B l'incorporation du phosphore ainsi que les rbsultats des diverses mkthodes de caract6risation utilis6es : luminescence B basse temperature, SIMS, mesure de resistance de couche. I1 -DESCRIPTION DU DISPOSITIF EXPERIMENTAL (Fig. 1 ) . 11 est r6gu16 et contra16 par un microprocesseur auquel sont relies les composants qui fixent les conditions expbrimentales. Le faisceau d'un laser argon continu est focalis6 par une lentille de 120 rn puis traverse un disque B fentes qui permet de rkgler la dur6e T des impulsions lumineuses. T varie entre 1 w~ et 100 ms. Une partie du faisceau ainsi focalis6 est refl6chie par une lame semi-rkfl6chissante sur une photodiode reliee au microprocesseur. L'autre partie arrive sur les relais dont le r81e est d'interrompre le faisceau pendant le deplacement de lT6chantillon entre 2 tirs laser successifs. Le faisceau issu du relais est 2 nouveau focalis6 par une lentille de 60 mm sur l'bchantillon sit& dans une chambre maintenue sous atmosphkre d'argon. Deux moteurs pas B pas assurent le dbplacement de 1'6chantillon dans les directions verticales et horizontales. Le microprocesseur permet de rkgler les paramktres de tir : origine du premier tir, nombre de tirs dans les directions ho izontales et verticales, distance entre deux tirs, le d6placement minimalhtantde 2,3 ~m . Article published online by EDP Sciences and available at http://dx.
doi:10.1051/jphyscol:1983541 fatcat:maxbk32lofhwllifpxhn352mge