ON SOME ASPECTS OF THE MOBILITY OF DISLOCATIONS IN SLIGHTLY n-DOPED InSb SINGLE CRYSTALS

J. Di Persio, R. Kesteloot
1983 Le Journal de Physique Colloques  
R6sum6 -La technique de topographie aux rayons X est utilis6e pour 6tudier les configurations dedislocations dSvelopp6es sous contrainte dans des 6prouvettes d'InSb faiblement dopges de type n. Les r6sultats confirment la vitesse beaucoup plus grande des dislocations a par rapport aux dislocations vis. Par contre, les dislocations f3 sont excessivement peu mobiles, apparemment P toute contrainte et ? I toute tempsrature. Ceci a pour cons6quence : I) d'affecter la mobilit6 des dislocations vis
more » ... dislocations vis dont le mouvement semble contr6-16 par la propagation de crans simples a. 2) de bloquer le fonctionnement de sorlrces internes efficaces, sauf pr2s des surfaces. Ceci conduit 2 une plasticit6 qui semble trZs spgcifique aux compos6s 111-V. Abstract -X-Ray Lang topography is used to investigate the dislocation substructure developped under stress in slightly n-doped InSb samples. Results confirm the much higher velocity of a-dislocations compared to screws. On the other hand, f3-dislocations are excessively little mobile, apparently at all stress and temperature. This has for consequence :
doi:10.1051/jphyscol:1983456 fatcat:wfzcuxgsrzglhaisw7yywxnjia