Une formule de modèle, liée au procès, pour les résistances série des MOSFETs est présentée, en supposant un profil de dopage linéaire pour des jonctions graduelles. La variable la plus importante du procès est le gradient de dopage latéral, tandis que la dose du drain légèrement dopé n'a pas beaucoup d'influence. Les valeurs calculées des résistances correspondent bien avec les valeurs mesurées, qui ont été extraites des paramètres d'un nouveau modèle de circuit pour des MOSFETs. Dans ce

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... le courant et la tension de saturation sont exprimés explicitement en termes des résistances série. Abstract -A process-related design formula for the MOSFET series resistances is discussed, assuming a linear doping profile for graded junctions. The main process variable is the lateral doping gradient, whereas the LDD-dose has little effect. Calculated resistance values agree well with measured data, which have been extracted from the parameters of a new MOSFET circuit model. In the latter model the current and saturation voltage are expressed explicitly in terms of the series resistances.