(függôleges szakaszok) tekintetbe véve, egy kivételtôl elte-8. ábra. Rotációs periódusok az LQ Hydrae hosszú idôskálájú fotomet-riai mérései alapján (további magyarázat a szövegben). kintve-a kapott forgási periódusok a szaggatott vonalak által határolt tartományba esnek. Ez független megerôsíté-se a Doppler-képek alapján a differenciális rotációra kapott eredmény helyességének. A vékonyrétegek egyik nagy felhasználási területe a fél-vezetô technológia, melyben gyakori a heteroátmenetek

more »

... se. A legtöbb esetben nemcsak egy véletlensze-rû orientációval leválasztott polikristályos rétegre, hanem egy irányítottan növesztett egykristály rétegre van szüksé-günk. Ilyen rétegek növesztését számunkra a megfelelô fizikai paraméterek (pl. hômérséklet) megválasztása lehe-tôvé is teszi. A heteroátmenetek széles körû felhasználá-sáról magyar nyelven is olvashatunk [1]. Amennyiben a hordozó és a ránövesztett réteg rácsparaméterei közti különbség (azaz az illesztetlenség, vagy angol szóval misfit) kicsi (néhány tizedtôl 1-2%-ig), akkor egy feszített szerkezetet kapunk, amelyben a kritikus vastagság meg-haladása után a feszültség illesztetlen diszlokációk kelet-kezésével oldódik fel. A rácsillesztetlenség speciális ese-tével, melyben a növekvô egykristály réteg részben dô-léssel kompenzálja az illesztetlenséget, Riesz Ferenc több cikkében is foglalkozott [2, 3]. Vannak azonban olyan esetek, amikor a rácsillesztetlenség nagy, és mégis sikerül orientáltan a két kristályt egymáshoz illesztve réteget nö-vesztenünk. Ilyenkor bizonyos vastagság felett a réteg meg is repedhet. Találkozunk azonban olyan kivételes esetekkel, amikor azt látjuk, hogy a nagy rácsparaméter-különbség ellenére rétegünk tökéletesen orientálva nôtt a hordozóra, és illesztetlen diszlokációk szabályos hálóza-tát figyelhetjük meg. Ilyen esetek az úgynevezett mági-kus illeszkedés sel jöhetnek létre, amely azt jelenti, hogy a hordozó kristály m rácssíktávolsága megegyezik a növek-vô réteg n rácssíktávolságával, ahol m és n egész szá-mok. Ilyenkor az egyik kristály 4 rácssíkja illeszkedik a másik kristály 3 rácssíkjához, vagy öt a négyhez, vagy 11 a 10-hez stb. Ha a két kristály közt a rácsparaméter-kü-lönbség nagy, akkor m és n kis számok, míg a nagyobb értékek relatíve kisebb illesztetlenségnél adódnak. Ekkor, ha a növesztett kristály rácsparamétere a kisebb, az illesz-kedés úgy is felfogható, hogy abban szabályos periódus-sal egy-egy extra sík, azaz diszlokáció illeszkedett be, melyeket a meglehetôsen szûk irodalom [4] geometriai diszlokációnak is hív. A gyakorlati esetekben m = n + 1, ugyanis egy ettôl eltérô, például öt a háromhoz illeszke-déshez 40%-os illesztetlenség tartozna. Az m = n + 1 ösz-szefüggéstôl való eltérés tehát nem lehetetlen, de csak nagyobb számoknál várható. Az illesztetlenséget a következô képlet definiálja: ahol a 0 a hordozó, a r pedig a réteg síktávolsága. Fenti f 0 = a 0 a r a 0 , képlettel számolva a köbös SiC és a gyémánt közti il-lesztetlenség −0,223, azaz −22,3%. A negatív elôjel abból adódik, hogy feltételeztük, hogy a nagyobb rács-paraméterû anyagot (SiC) növesztjük a kisebbre (gyé-mánt). Kísérleteinkben természetes gyémántot magas hômérsékleten implantálva szilíciummal, ezzel az úgy-nevezett ionnyalábos szintézissel valóban sikerült elôál-304