ESPALHAMENTO RAMAN INTENSIFICADO POR SUPÉRFICIE EM ÓXIDOS SEMICONDUTORES NÃO ESTEQUIOMÉTRICOS

Alice Cosenza Reinaldo, Italo Odone Mazali, Isaías de Castro Silva
2017 XXV Congresso de Iniciação Científica da Unicamp   unpublished
Resumo Neste trabalho buscou-se avaliar a intensificação do espalhamento Raman do ácido 4-mercaptobenzóico (4-MBA) adsorvido em óxido de cério não estequiométrico, por meio da criação de vacâncias de oxigênio. Foi possível identificar a molécula, e esse fato, além das mudanças espectrais observadas podem ser atribuídas à quimissorção do 4-MBA. Palavras-chave: Semicondutores, Raman, Não estequiometria.
doi:10.19146/pibic-2017-78058 fatcat:fg5f2bin4vg2jjo25dguru5bsy