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Analyse und Simulation parasitärer Effekte in flüssig prozessierten organischen Transistoren
2015
Ein SPICE Modell für organische Transistoren wird implementiert und um parasitäre Effekte (Gate-Leckströme, Prozessschwankungen, Kontaktwiderstände und Temperatureffekte) erweitert. Ebenfalls wird der Einfluss von Schichtdickenvariation von Halbleiter und Dielektrikum auf das Transistorverhalten untersucht. Die Qualität der optimierten Simulation wird am Beispiel eines Ringoszillators bei Temperaturen zwischen 15°C und 75°C demonstriert.
doi:10.5445/ir/1000046032
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