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MELTING AND FREEZING KINETICS INDUCED BY PULSED ELECTRON BEAM ANNEALING IN ION-IMPLANTED SILICON
1983
Le Journal de Physique Colloques
RESUME Les mecanismes d'interaction faisceau d'energie-materiau determinent les phCnomenes d e recristallisation par 6pitaxie liquide. Dans c e travail, nous avons simule, pour un faisceau d'electrons polycinetique pulse, les cinetiques d e recristallisation d e silicium implante. Nous avons etudid I'influence du spectre d'6lectrons (12 et 15 keV d'energie moyenne), d e 2 l'energie superficielle (0,7 i 1,4 J / c m ) sur ces cinetiques pour deux temperatures initiales (20 e t 450°C). Apres
doi:10.1051/jphyscol:1983515
fatcat:qbcx24x2u5dadb2jnhutr7huxa