RESUME Les mecanismes d'interaction faisceau d'energie-materiau determinent les phCnomenes d e recristallisation par 6pitaxie liquide. Dans c e travail, nous avons simule, pour un faisceau d'electrons polycinetique pulse, les cinetiques d e recristallisation d e silicium implante. Nous avons etudid I'influence du spectre d'6lectrons (12 et 15 keV d'energie moyenne), d e 2 l'energie superficielle (0,7 i 1,4 J / c m ) sur ces cinetiques pour deux temperatures initiales (20 e t 450°C). Apres

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... ation, I'enthalpie dans la zone portee i la temperature d e fusion n'est pas uniformement distribuee. La vitesse d e recristallisation depend principalement du gradient thermique post-zone fondue. L'effet du prechauffage i 450°C diminue la vitesse d e recristallisation et allonge considerablement le temps d e sejour i haute temperature d e la couche superficielle. ABSTRACT Annealing effects of a pulsed energy beam in t h e liquid phase epitaxy regime mostly depend on beam material interaction mechanism. In this work t h e melting and freezing kinetics induced by a polykinetic electron beam pulse in ion-implanted silicon have been simulated for different electron beam parameters (energy spectrum and fluence) and t w o starting temperature 20 and 450°C.