CMOS 1 MICRON ISOLATION TECHNOLOGY USING INTERFACE SEALING BY PLASMA NITRIDATION : PLASMA SILO

P. DELPECH, B. VUILLERMOZ, M. BERENGUER, A. STRABONI, T. TERNISIEN
1988 Le Journal de Physique Colloques  
RESUME -Nous avons évalué 1'apport de la technique d'isolation par SILO PLASMA dans une filière CMOS 1 um par comparaison à un isolement par LOCOS classique. Le SILO PLASMA permet de réduire de 0.4 um les pertes liées au LOCOS, ainsi que l'effet de canal étroit, tout en conservant les principales caractéristiques électriques de cette technique (courant sous le seuil, intégrité de l'oxyde grille, etc, ) ABSTRACT -The improvement of a 1 pm CMOS process using PLASMA SILO as an isolation technique
more » ... as been evaluated by comparison with a classical LOCOS. The PLASMA SILO provides a reduction of 0.4 pm in the channel width loss, and a gain on the narrow channel effect. The other electrical characteristics are maintained (subthreshold characteristics, gate oxide integrity, etc, )
doi:10.1051/jphyscol:19884110 fatcat:44mezhxgnve2hkvrz2355whm5i