Effects of Low Dose Ion Implantation on Minority Carrier Lifetime in Dislocation-Free p-Type Silicon
p型無転位Siのラィフタイムに及ぼす低ドーズイオン打込みの影響

Kunihiko HARA
1980 Oyobuturi  
doi:10.11470/oubutsu1932.49.17 fatcat:f2unyvs4bbctjhl46qzhwaryoe