Эффект Парселла в брэгговской структуре с квантовыми ямами на основе монослоёв InAs в GaAs / Иванов К.А., Егоров А.Ю., Калитеевский М.А., Позина Г., Морозов К.М., Clark S.J

2019 Тезисы докладов XIV РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ ПО ФИЗИКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ «ПОЛУПРОВОДНИКИ-2019»  
Брэгговские структуры с квантовыми ямами интересны с точки зрения применения в фотонике и оптоэлектронике, поскольку, как было показано ранее, в них возможно усиление (эффект Парселла) и подавление спонтанного излучения на определённых частотах [1]. В настоящей работе представлены результаты экспериментального исследования структуры, изготовленной методом молекулярнопучковой эпитаксии на подложке GaAs и содержавшей 60 периодов объёмного GaAs одинаковой толщины 120 нм, в каждом из которых
more » ... лось три монослоя InAs на расстоянии 10 нм друг от друга [2]. Каждый монослой образует квантовую яму, в которой возможна локализация экситона. Период структуры был подобран таким образом, чтобы энергия экситона удовлетворяла брэгговскому условию ( 2 2      cd n sin ) для некоторого угла излучения. Структура была исследована методом фотолюминесценции с временным и угловым разрешением. Оптическая накачка производилась фемтосекундным лазером с различной мощностью, спектры снимались как с поверхности структуры, так и с торца. В результате оказалось, что все спектры содержат линию, соответствующую основному состоянию экситона (X1). В то же время, спектр люминесценции с поверхности при большой мощности накачки содержит дополнительную линию (SR), энергия которой зависит от угла излучения и коррелирует с брэгговским условием. Спектр излучения с торца структуры не содержит линии SR при любой мощности накачки. В рамках обработки результатов спектры были проинтегрированы по времени, а затем спектры с поверхности, снятые под разными углами, были нормированы на спектр с торца. В результате получена картина модального фактора Парселла, демонстрирующая изолированные области усиления эмиссии, расположенные вдоль кривой, отвечающей брэгговскому условию.
doi:10.34077/semicond2019-164 fatcat:dgx22x74qfaabdsbc2e3lvrh4q