Математическая модель шума в поликристаллическом n-CdSe На основе анализа экспериментальных зависимостей дисперсии шума полупроводникового фоторезистора от напряжения смещения и мощности засветки построено математическое выражение, описывающее шумовое напряжение на поликристаллическом n-CdSe, справедливое в широком диапазоне смещений и мощностей засветок. Показано, что шумовые свойства n-CdSe могут быть интерпретированы как результат сложения дисперсий флуктуаций ЭДС двух независимых источников

more »

... флуктуаций, параметры которых меняются линейно с ростом напряжения смещения и по модифицированному закону Гаусса в зависимости от мощности засветки. Дана физическая интерпретация построенной модели. Ключевые слова: математическая модель, шум, модифицированное распределение Гаусса, фоновая засветка.