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Growth of micro-devices of topological insulator thin films by molecular beam epitaxy on substrates pre-patterned with photolithography
2014
Wuli xuebao
Preserved Fulltext
在预刻蚀的衬底上通过分子束外延直接生长出 拓扑绝缘体薄膜的微器件 低维量子物理国家重点实验室, 北京 100084) ( 2013 年 12 月 11 日收到; 2013 年 12 月 17 日收到修改稿 ) 在利用光刻将拓扑绝缘体外延薄膜加工成微米尺寸结构的过程中, 所用的各种化学物质会导致薄膜质 量的下降. 在实验中, 通过在钛酸锶衬底上预先光刻出 Hall bar 形状的凸平台并以此为模板进行拓扑绝缘体 (Bi x Sb 1−x ) 2 Te 3 薄膜的分子束外延生长, 直接获得了薄膜的 Hall bar 微器件, 从而避免了光刻过程对材料质 量的影响. 原子力显微镜和输运测量结果均显示该微器件保持了 (Bi x Sb 1−x ) 2 Te 3 外延薄膜原有的性质. 这 种新的微器件制备方法有助于在拓扑绝缘体中实现各种新奇的量子效应, 并可推广于其他外延生长的低维系 统.
doi:10.7498/aps.63.027303
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