О пространственной локализации свободных электронов в n-канальных МОП-транзисторах на основе 4H-SiC

П.А. Иванов
2018 Журнал технической физики  
doi:10.21883/ftp.2018.01.45327.8436 fatcat:2gzqohtrqbapxi4nyj5wygxl3m