ACTIVE ULTRASOUND EFFECTS AND THEIR FUTURE USAGE IN SENSOR ELECTRONICS

Ja. M. Olikh, O. Ya. Olikh
2014 Sensor Electronics and Microsystem Technologies  
In given paper various phenomena of ultrasound influence on physical characteristics of dislocation crystals of A 2 B 6 type (CdS, ZnS, Cd x Hg 1-x Te) and of dislocation-free crystals (Ge, Si) are systematized; results for light emitting structures (GaAs, GaAlAs, GaP) are given; possibilities of the active ultrasound use in microelectronics device technology are analyzed. Separately dynamic effects (in-situ) are considered. Possible mechanisms of sound induced effects and their applications
more » ... discussed. New technological techniques such as ultrasound processing, thermoacoustic efect annealing, ultrasound induced doping and so on find an industrial application. A considered aspect of physical and technological effects of ultrasound in semiconductors is proposed for further usage in Sensor electronics: Аннотация ЭФФЕКТЫ АКТИВНОГО УЛЬТРАЗВУКА И ПЕРСПЕКТИВА ИХ ПРИМЕНЕНИЯ В СЕНСОРНОЙ ЭЛЕКТРОНИКЕ Я. М. Олих, О. Я. Олих В работе систематизированы разнообразные явления и эффекты ультразвукового воздействия на физические характеристики дислокационных кристаллов, типа A 2 B 6 (CdS, ZnS, Сd x Hg 1-x Te), и бездислокационных -Ge, Si; приводятся результаты для полупроводниковых светоизлучающих структур (GaAs, GaAlAs, GaP); проанализированы возможности использования активного ультразвука (УЗ) в технологии микроэлектронных приборов (термоакустический отжиг дефектов, акустостимулированое легирование методом имплантации ионов примесей). Отдельно рассматриваются динамические эффекты (in-situ), которые проявляются лишь во время воздействия УЗ. Обсуждаются возможные механизмы таких акустостимулированных эффектов и их применение. Рассмотрен-Ja. M. Olikh, O. Ya. Olikh © Ja. M. Olikh, O.Ya. Olikh, 2004 20 Sensor Electronics and Microsystem Technologies. 1/2004 ный спектр физических и технологических эффектов УЗ в полупроводниках предложен для последующего их использования в Сенсорной электронике. Ключевые слова: полупроводники, ультразвук, активный ультразвук, кристаллические дефекты, cенсорная электроника. Анотація ЕФЕКТИ АКТИВНОГО УЛЬТРАЗВУКУ ТА ПЕРСПЕКТИВА ЇХ ВИКОРИСТАННЯ В СЕНСОРНІЙ ЕЛЕКТРОНІЦІ Я. М. Оліх, О. Я. Оліх В роботі систематизовано різноманітні явища та ефекти ультразвукової дії на фізичні, характеристики дислокаційних кристалів типу A 2 B 6 (CdS, ZnS, Cd x Hg 1-x Te) та бездислокаційних (Ge, Si); наводяться результати для напівпровідникових світловипромінюючих структур (GaAs, GaAlAs, GaP); проаналізовано можливості використання активного ультразвуку (УЗ) в технології мікроелектронних приладів (термоакустичний відпал дефектів, акустостимульоване легування методом імплантації іонів домішок). Розглядаються динамічні ефекти (in-situ), які проявляються лише під час дії УЗ. Oбговорюються можливі механізми таких акустостимульованих ефектів та їх застосування. Pозглянутий спектр фізичних та технологічних ефектів УЗ в напівпровідниках запропоновано для наступного їх використання в сенсорній електроніці. Ключові слова: напівпровідники, ультразвук, активний ультразвук, кристалічні дефекти, сенсорна електроніка.
doi:10.18524/1815-7459.2004.1.111805 fatcat:pz7zxudlrnfmpkaqppigbeccly