InSe ve InSe:Sn Yarıiletkenlerinde Farklı Tavlama Sıcaklıkları ve Süreleri için Lineer Soğurma Katsayılarının Belirlenmesi

BURCU AKÇA, SALİH ZEKİ ERZENEOĞLU
2018 Gümüşhane Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi  
Öz Bu çalışmada Bridgman/Stockbarger metodu ile büyütülmüş InSe ve InSe:Sn yarıiletken kristallerinin farklı tavlama sıcaklıkları ve zamanları için lineer soğurma katsayıları incelenmiştir. Yarıiletkenlerden geçirilen 241 Am'in gamma ışınları yüksek çözünürlüklü Si(Li) detektör tarafından detekte edilmiştir ve Enerji ayırımlı X-ışını Floresan Spektrometresi (EDXRFS) kullanılmıştır. InSe ve InSe:Sn yarıiletken kristallerinin lineer soğurma katsayılarının, tavlama süresi ve sıcaklığının artışıyla
more » ... aklığının artışıyla genelde arttığı gözlenmiştir. Anahtar kelimeler: Bridgman/Stockbarger, EDXRFS, Lineer soğurma katsayısı, InSe Si(Li) detector and by using energy dispersive X-ray fluorescence spectrometer (EDXRFS). It has been observed that the linear absorption coefficients of InSe and InSe: Sn semiconductor crystals generally increase with the increase of annealing time and temperature. Abstract In this study have examined linear attenuation coefficients of InSe and InSe:Sn semiconductor crystals have been grown by using Bridgman/Stockbarger for different annealing temperature and time. Gamma rays of 241 Am passed through semiconductors have been detected by a high-resolution
doi:10.17714/gumusfenbil.414110 fatcat:pa2elkcf2bhjhjkqcp6tvop7kq