25pWE-4 Structure Determination of Antiaita-type Defects in SiC by Electron Spin S sonanoe Method
25pWE-4 SiCのアンチサイト型欠陥の電子スピン共鳴法による構造決定(25pWE 領域,領域10合同アモルファス,不純物・格子欠陥,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))

J. Isoya, Y. Morishita, H. Takizawa, T. Ohshima, H. Itoh, A. Yamasaki
2002 Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan (Nihon Butsuri Gakkai koen gaiyoshu)  
doi:10.11316/jpsgaiyo.57.1.4.0_636_1 fatcat:4fs4xs7fabf6hoccp7yu7qv5lu