A simple VCSEL based opto electronic module for optical logic and interface applications

M. R. R. Kumar, M. G. Madhan, M. Sivaraj, S. Suresh, M. Parasuraman
2012 2012 Third International Conference on Computing, Communication and Networking Technologies (ICCCNT'12)  
Article 2017 年,第 44 卷,第 12 期 1225 GaSb 基 VCSEL 刻蚀工艺研究 张 昕,李 洋,王 霞,李 杨,岳光礼, 王志伟,谢检来,张家斌*,郝永芹* 130022 摘要:2 μm~5 μm 波段 GaSb 基 VCSEL 对大气检测技术有着重要的应用,但制备技术的不成熟严重制约着 GaSb 基 VCSEL 的发展。刻蚀工艺中出现的下切效应就是器件制备中存在的突出问题。针对上述问题,选择三种不同成分的磷 酸系刻蚀液进行了对比性刻蚀实验,并通过台阶仪、扫描电子显微镜(SEM)测试观察了刻蚀速率和表面形貌。实验分 析表明,浓度配比为 1 mL:1 mL:0.6 g:10 mL 的 H 3 PO 4 :H 2 O 2 :C 4 H 6 O 6 :H 2 O 刻蚀液具有良好的腐蚀效果,消除了以往腐 蚀过程中出现的下切效应, 且垂直形貌好, 未出现钻蚀现象, 晶片表面平整且光滑, 且保持稳定的刻蚀速率 0.62 μm/min, 为激光器制备提供了良好的前期实验基础。 关键词:GaSb;垂直腔面发射激光器;腐蚀速率;表面形貌;酒石酸 中图分类号:TN248
more » ... ;酒石酸 中图分类号:TN248 文献标志码:A Abstract: 2 μm~5 μm GaSb-based VCSEL is an ideal light source for atmospheric detection. However, the immaturity of its fabrication technology seriously hinders its development. The undercutting effect is the outstanding etch problem in its fabrication. In this paper, Etching characteristics of GaSb is investigated in detail by use of phosphoric acid plus tartaric acid solution. In order to compare them, we chose concentration ratio of H
doi:10.1109/icccnt.2012.6395929 fatcat:ksoytz2fe5aufhcss4pbig3iva