Предложен новый метод синтеза GaN в полуполярном направлении на подложке Si(100), на поверхности которой сформирована V -образная наноструктура с суб-100 nm размером элементов. Показано, что применение наноструктурированной подложки в методе газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений позволяет формировать слой, направление роста которого отклонено от полярного направления на угол около 62 • при минимальной полуширине рентгенодифракционной кривой качания GaN(1011) ω θ ∼ 60 arcmin.