2014 Cet article résume les études effectuées par les auteurs sur le comportement physico-chimique de quelques impuretés (P, C, H) dans le silicium. Les résultats portent sur : la diffusion et la ségrégation d'impuretés dans le silicium mono et polycristallin, la passivation des défauts recombinants par l'hydrogène, les interactions hydrogène-dopants. Un accent particulier est mis sur le comportement et la diffusion de l'hydrogène. Les résultats sont discutés en tenant compte de l'existence de

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... écanismes complexes d'interactions entre l'hydrogène et les impuretés ou les défauts. Abstract. 2014 An overview of the studies done by the authors on the physicochemical behaviour of some impurities (P, C, H) in silicon is given. Results concern : diffusion and segregation of impurities in mono and polycrystalline silicon, passivation of recombining defects by hydrogen, hydrogen-dopant interaction. A more focused interest is given on hydrogen diffusion and behaviour. The results are discussed, taking into account the existence of complex mechanisms of interaction between hydrogen and impurities or defects. Revue Phys. Appl. 22 (1987) 655-662 JUILLET 1987 Classification . Physics Abstracts 72.