SIMULATION ET MODELISATION DE LA VARIATION DE LA MOBILITE DE HALL DES PHOTOELECTRONS EN FONCTION DE LA TEMPERATURE DANS LES CRISTAUX DE n-ZnSe :Zn IRRADIES AVEC DES ELECTRONS ENERGETIQUES

A-N°26 Sciences & Technologie, Décembre
2007 unpublished
Dans l'intervalle de températures [77..300 K] a été mesurée la mobilité de Hall des électrons d'équilibre et des photoélectrons dans les cristaux de n-ZnSe :Zn irradiés avec un faisceau d'électrons d'énergie E=1,3 MeV et dont la dose d'irradiation varie entre 2,73 10 16 et 5.19 10 17 électrons/cm 2. Le comportement de la mobilité des photoélectrons s'explique parfaitement dans le cadre d'un modèle à deux-barrières d'un semi-conducteur inhomogène représentant une matrice faiblement ohmique
more » ... ement ohmique contenant des inclusions fortement ohmiques (clusters). En se basant sur les théories de Shik et de Petrossiyan , une expression approximative de la mobilité de Hall a été obtenue. Il a été montré que ce modèle fonctionne parfaitement pour les petites doses d'irradiation. Lorsque la dose dépasse une certaine valeur critique (D= 2.98 10 17 électrons /cm 2) le modèle considéré passe au modèle du potentiel à relief aléatoire. Abstract In the interval of temperatures [77..300 K] was measured the Hall mobility of the equilibrium electrons and photoelectrons in the n-ZnSe:Zn crystals which are irradiated by a flow of electrons with an energy of 1,3 MeV and a dose of irradiation from 2,73 10 16 to 5.19 10 17 electrons/cm 2. The behaviour of the mobility of the photoelectrons is satisfactorily explained by the two-barrier model of an inhomogeneous semiconductor witch represents a low-resistance matrix with high resistance inclusions (clusters). Taking on the count the Shik and Petrossiyan theories, an approximate expression of the Hall mobility was obtained. It were demonstrated that this model perfectly described the Hall mobility for the small doses samples. When the dose of irradiation exceeds a certain breaking value (D = 2.98 10 17 electrons /cm 2) the considered model passes into a model of a random potential relief .
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