요약. 황산 용액에서 양극산화(anodization)에 의하여 생성되는 산화피막의 생성과정(growth kinetics)과 이 피막의 전기적 성 질을 전기화학적 임피던스 측정법(electrochemical impedance spectroscopy)으로 조사하였다. 산화피막은 Al2O3로 점-결함 모 형(point defect model)에 따라 성장하였으며, n-형 반도체의 전기적 성질을 보였다. 주제어: Al2O3, Al(OH)3, 부동화 막, 산화 막, n-형 반도체, Mott-Schottky ABSTRACT. We have investigated the growth kinetics of Al oxide film by anodization in sulfuric acid solution and the electronic properties of this film using electrochemical impedance spectroscopy. Al oxide film

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... ed Al2O3 was grown based on the point defect model and shown the eclctronic properties of n-type semiconductor. 서론 금속의 부동화 과정에서 생성되는 산화 막(oxide film)은 반도체의 성질을 띠는 경우가 흔하며, 이러한 산화 막들은 전 기 및 전자 산업에 널리 활용될 수 있기 때문에 금속의 부동화 에 관한 전기화학적 연구는 크게 주목 받고 있다. 1,2 알루미늄 (Al)은 자발적 또는 인위적인 산화(anodization)로 부착력 (adhesive force)이 좋은 얇은 산화물(Al2O3 또는 Al(OH)3) 피 막이 형성되어 알루미늄 매질을 보호하므로 부식 성이 낮을 뿐 아니라, 열전도도와 전기전도도가 좋고 가공성이 뛰어나 항공, 자동차, 전자, 건축산업에 광범위하게 활용되고 있 다. 3~9 양극산화에 의한 Al2O3 피막생성에 대한 연구는 주로 황산 수용액에서 이루어지고 있으며 산화피막이 형성되는 반응구조, 10~16 반응조건에 따른 피막의 형태(morphology) 변화 및 전기적 성질의 향상에 관한 연구가 활발히 진행되고 있다.