2014 On présente une nouvelle structure de dispositif à couplage de charge qui contient deux canaux de transfert superposés dans le volume du semiconducteur. Grâce à cette façon verticale d'intégration (en volume), ce dispositif jouit d'une densité double de stockage et d'un nécessaire plus bas d'énergie de commande, par rapport aux dispositifs à canal enterré conventionnels. Le prix de ces avantages est une capacité limitée de déplacement de charge du niveau de transfert profond. Abstract.

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... A novel charge-coupled device structure operating by transferring charge packets on two distinct levels which are overlaid in the semiconductor bulk is described and analysed. This bulk-integrated device is twice as compact and has a reduced driving power consumption per bit, compared to conventional buried-channel CCD's, still enjoying bulk-channel operation. Furthermore, the overlaid CCD can be employed to perform certain operations that could otherwise be performed only at greater expense. The penalty is a smaller charge-carrying capacity of the deeperlaying transfer level.