GaN初期成長におけるSi-ドーピング,GaNテンプレートの効果(<小特集>ナノ構造・エピ成長分科会特集「窒化物半導体エピタキシャル成長における基板の役割」の再考)
Effect of Si-Doping and GaN-Template for GaN Initial Growth(The Role of the Substrate in Determining the Properties of Epitaxial Group III Nitrides)

Toshihide Ide, Mitsuaki Shimizu, Xu-Qiang Shen, Kulandaivel Jeganathan, Hajime Okumura
2003 Journal of the Japanese Association for Crystal Growth  
doi:10.19009/jjacg.30.2_82 fatcat:rsjrjawywbd6thk6vow2v4ei44