PULSED ELECTRON BEAM ANNEALING OF ARSENIC-IMPLANTATION DAMAGE IN SILICON

D. Barbier, A. Laugier, A. Cachard
1982 Le Journal de Physique Colloques  
RESUME Un canon à faisceau d'électrons pulsé SPIRE-300 a é t é utilisé pour recristalliser des couches 15 2 de Si (100) e t (11 1) implanté avec As (140 keV -10 cm-). Les paramètres de la machine ont été choisis pour obtenir un prof il d e dépôt d'énergie des électrons adapté à la fusion 2 superf icielk du silicium à partir de 1 J/cm . La qualité cristallme, ainsi que l'incorporation de l'arsenic atteignent un maximum dans la gamme de densité superficielle d'énergie : 1,2 -1,4 ~/cm'. Aucun
more » ... 4 ~/cm'. Aucun effet important d'orienta-tion n'a été mis en évidence mais une limite supérieure de dégradation à environ 1,6 ~/ c m ' a été chirement observée pour les deux orientations. Lstalement du profil d'arsenic e s t cohérent avec le modèle de fusion. Cependant, des pertes importantes d'arsenic, pendant la durée de la phase liquide pourraient êt're responsables de la chute d e concentration observée expérimentalement à la surface par rapport aux résultats obtenus par le calcul au moyen d'un modèle ,simple de diffusion. ABSTRACT A SPIRE-300 pulsed electron beam processor has been used t o recrystallize (100) and (111) 15 Si wafers implanted with As (140 keV -10 cm-2). The machine parameters have been selected t o obtain an electron energy deposition profik convenient for melting of the silicon surface 2
doi:10.1051/jphyscol:1982547 fatcat:7lecyovbyncglj4kszjyhkt55m