Simulating of electromagnetic scattering on thin parallel ideally conducting and dielectric cylinders
Моделирование электромагнитного рассеяния на тонких параллельных идеально проводящем и диэлектрическом цилиндрах

Anatoly Grigor'evich Dmitrenko, Tomsk State University (Tomsk, Russian Federation), Olga Mihailovna Balashova
2020 Vestnik Tomskogo gosudarstvennogo universiteta Upravlenie vychislitel naya tekhnika i informatika  
МОДЕЛИРОВАНИЕ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО РАССЕЯНИЯ НА ТОНКИХ ПАРАЛЛЕЛЬНЫХ ИДЕАЛЬНО ПРОВОДЯЩЕМ И ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОМ ЦИЛИНДРАХ Метод вспомогательных источников использован для моделирования в резонансной частотной области электромагнитного рассеяния на тонких параллельных идеально проводящем и диэлектрическом цилиндрах. Приведены некоторые результаты численных расчетов бистатических сечений рассеяния и сечений обратного рассеяния рассматриваемой структуры. Выполнено сравнение получаемых результатов с
more » ... ми результатами, определена область применимости использованного метода решения задачи. Ключевые слова: электромагнитное рассеяние; метод вспомогательных источников; идеально проводящий цилиндр; диэлектрический цилиндр; сечение рассеяния. 2  (n = 1,2,..., i N ) и распределения осевых токов e d J  , m d J  и e p J  . Предварительно введем кусочно-постоянную аппроксимацию вспомогательных осевых токов. Разобьем осевую линию диэлектрического цилиндра на d N участков, в пределах каждого из которых величины токов e d J  и m d J  можно считать постоянными, а осевую линию идеально проводящего цилиндра разобьем на p N участков, в пределах каждого из которых величину тока e p J  также можно code, we carried out a series of computational calculations aimed at determination the domain of applicability of the proposed method, comparison of the results calculated with the help of proposed method and known results, and analysis of the scattering cross section of different structures.
doi:10.17223/19988605/51/4 fatcat:jgjxcxoc6fhk3inejwha3rm5nm