Показано, що важливі кінетичні властивості провідних кристалів спричинені умовами дрейфу носіїв зарядів міжвузлями кристалічної ґратки. Ключові слова: напівпровідниковий кристал, транспортні властивості, кінетичні коефіцієнти, закон дисперсії Кейна. In this paper it is shown that the important kinetic properties of the conducting crystals are determined by the conditions of the charge carriers drift throw the interstitials of the crystal lattice.