23pHA-6 ナノキャパシタの第一原理計算 : 軌道分離法によるバイアス印加(23pHA 表面界面電子物性(シミュレーション),領域9(表面・界面,結晶成長))
23pHA-6 First Principles Simulation of Nanocapacitors : Bias Application Using the Orbital Separation Approach

Shusuke Kasamatsu, Satoshi Watanabe, Seungwu Han
2011 Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan (Nihon Butsuri Gakkai koen gaiyoshu)  
doi:10.11316/jpsgaiyo.66.2.4.0_932_4 fatcat:xxuhl6u5l5eq3f3kfyngfver6y