Fabrication and electrical characteristics of nano black phosphorus thin film transistor

Wang Lie-long
2016 Functional materials  
This text introduced a method to fabricate black phosphorus(BP) nanosheet field effect transistor (FET). The X ray diffraction analysis, scanning electron microscopy, and FET performance of the black phosphorus products were analyzed, and the output characteristic curves and the transfer characteristic curves were obtained. When BP's thickness was 14nm, the hole mobility was 244 cm 2 /Vs and on/off ratio was ~10 3 . The result shows that black phosphorus nanosheet field effect transistor has
more » ... t transistor has good on/off ratio and hole mobility. It will lay an important foundation for future optoelectronic devices as an alternative material. Методами дифракционного рентгеновского анализа и сканирующей электронной микроскопии исследуются нанокристаллы, полученные из природного черного фосфора. Определены подвижность электронов (��� cm 244 cm 2 /Vs ) и коэффициент переключения тока (��� и коэффициент переключения тока (��� (~10 3 ) . . Результаты показывают, что наноматериалы на основе черного фосфора могут найти применение в оптоэлектронных устройствах как альтернативный материал существующим. Исследование эксплуатационных характеристик черного фосфора ���� и его ���� и его и его применение. Ван Ли-лонг. Методами дифракційного рентгенівського аналізу і скануючої електронної мікроскопії досліджуються нанокристали , отримані з природного чорного фосфору. Визначено рухливість електронів (��� cm (244 cm 244 cm 2 /Vs ) і коефіцієнт перемикання струму (��� 3 ). Результати показують , що наноматеріали на основі чорного фосфору можуть знайти застосування в оптоелектронних пристроях як альтернативний матеріал існуючим .
doi:10.15407/fm23.03.404 fatcat:crdvkkcehzhgndpj5ntocf6ju4