2014 L'introduction d'une couche mince de Si3N4 dans la structure de mémoire MAOS (métal, Al2O3, SiO2, Si) augmente le stockage des charges dans la mémoire et réduit les voltages d'inscription pour cette structure MANOS. La recuisson à l'oxygène agit d'une manière significative sur ces propriétés et sur le mécanisme de chargement. Des résultats préliminaires sur la rétention de la charge seront présentés. Abstract. 2014 Introduction of a thin Si3N4 layer in metal-Al2O3-SiO2-Si (MAOS) memory

more »

... ctures leads to increased charge storage capability and reduced writing voltages for these MANOS structures. O2 annealing significantly affects these properties and the charging mechanism. Preliminary results on charge retention are presented.