Особенности формирования высокоэффективных полупроводниковых детекторов на основе гетероструктур αSi-Si(Li)

Р. А. Муминов, А. К. Саймбетов, E. К. Тошмуродов
2013 Приборы и техника эксперимента  
doi:10.7868/s0032816213010096 fatcat:opw2ffxttza55gtyjaxt365pq4