Structure of Vanadium Films on SiO$_2$(001), MgO(100), Al$_2$O$_3$(0001), SrTiO$_3$(100) Substrates and Features of Their Thermal Oxidation
Структура плівок ванадію на підкладинках SiO$_2$(001), MgO(100), Al$_2$O$_3$(0001), SrTiO$_3$(100) та особливості їх термічного окиснення

A. K. Orlov, National Technical University of Ukraine 'Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute', 37 Peremohy Ave., UA-03056 Kyiv, Ukraine, RIKEN SPring-8 Center, 1-1-1 Kouto, Sayo-cho, Sayo-gun, Hyogo 679-5148, Japan, I. O. Kruhlov, S. M. Voloshko, I. E. Kotenko, S. I. Sidorenko, T. Ishikawa, National Technical University of Ukraine 'Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute', 37 Peremohy Ave., UA-03056 Kyiv, Ukraine, RIKEN SPring-8 Center, 1-1-1 Kouto, Sayo-cho, Sayo-gun, Hyogo 679-5148, Japan, National Technical University of Ukraine 'Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute', 37 Peremohy Ave., UA-03056 Kyiv, Ukraine, National Technical University of Ukraine 'Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute', 37 Peremohy Ave., UA-03056 Kyiv, Ukraine (+2 others)
2018 Metallofizika i novejsie tehnologii  
Досліджено структуру тонких плівок ванадію на різних монокристалічних підкладинках V(25 нм)/SiO 2 (001), V(25 нм)/MgO(100), V(25 нм)/Al 2 O 3 (0001), V(25 нм)/SrTiO 3 (100) у вихідному стані та при відпалі до температури у 600 C у вакуумі 10 3 Па. Із використанням синхротронного випромінення (RIKEN SPring-8 Center) виявлено переважну орієнтацію зерен у напрямку [110] для плівки на підкладинці SrTiO 3 (100) із періодом кристалічної ґратниці у 3,024 Å, який відповідає масивному стану, і розміром
more » ... стану, і розміром областей когерентного розсіяння порядку 11 нм. У вихідному стані ступінь окиснення приповерхневих шарів визначається далекосяжним впливом структури перехідного шару на межі поділу підкладинка/плівка. Ця структура залежить як від типу кристалічних ґратниць плівки та підкладинки, так і від ступеня невідповідности між ними. У випадку аморфної структури перехідного шару процеси окиснення гальмуються. Інтенсивність початкових стадій окиснення впродовж відпалу також залежить від вихід-
doi:10.15407/mfint.40.06.0777 fatcat:vg4ktphoq5gvjeqwbvbokyfhr4