Cu/n-InP/In SCHOTTKY DİYOTLARIN SICAKLIĞA BAĞLI AKIM-VOLTAJ VE KAPASİTE-VOLTAJ ÖLÇÜMLERİNDEN ELDE EDİLEN KARAKTERİSTİK PARAMETRELERİNİN İNCELENMESİ

Fulya Esra Cimilli Çatır
2018 Erzincan Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi  
Öz Schottky engel diyotları n-tipi InP (100) yarıiletkeni kullanılarak elde edildi. Ohmik kontaklar In metali buharlaştırıldıktan sonra 320 o C'de ve N2 ortamında tavlanarak yapıldı. Schottky kontakları 0,5 mm çapında ve yarıiletkenin ön yüzünde imal edildi. I-V karakteristikleri 20K ve 300K sıcaklık aralığında sıcaklığın bir fonksiyonu olarak ölçüldü. Deneysel I-V karakteristiklerinin Cu/n-tipi Inp Schottky diyotları için geleneksel Termiyonik Emisyon (TE) teorisi ile uyum içerisinde olduğu
more » ... çerisinde olduğu gözlemlendi. Cu/n-tipi InP Schottky diyotlarının kapasite-gerilim (C-V) ölçümleri 300-10 K sıcaklık aralığında ve 10K adımlarla 1 MHz frekansta alındı. Numune sıcaklığına bağlı olarak diyotlarımızın elektriksel karakterizasyonunda değişikliklerin olduğu tespit edildi. Cu/n-InP/In Schottky kontakların sıcaklığa bağlı engel karakteristiklerinin "engel inhomojenliği modeline" uyduğu belirlendi. 20-150 K ve 150-300 K sıcaklık aralığında Schottky diyotlara iki farklı ortalama engel yüksekliğinin eşlik etmesi engel yüksekliğinin çift Gaussian modeli ile uyum içerisindedir. Ayrıca sıcaklığa bağlı I-V ve C-V karakteristiklerinden seri direnç, taşıyıcı konsantrasyonu, difüzyon potansiyeli ve Fermi enerjisi gibi parametreleri de hesaplandı. Abstract The Schottky barrier diodes were prepared using n-type InP (100) wafer. The ohmic contact was made by evaporating In and annealing at 320 o C under N2 atmosphere. The Schottky contacts with 0,5 mm diameter were formed on the front face of sample. The I-V characteristics of the devices were measured in the temperature range of 20K and 300K. The I-V characteristics of Cu/n-type InP Schottky diodes were obtained as a function of temperature. The experimental I-V characteristics of the Cu/n-type InP Schottky diodes are in a good agreement with the traditional thermionic emission (TE) theory. The capacitance-voltage (C-V) characteristics of the Cu/n-type InP Schottky diodes have been measured between 300-10 K with 10K steps at 1 MHz frequency. Depending on sample temperature, the change of the electrical characterization of the device has been examined. The temperature dependent barrier characteristics of Cu/n-Type InP Schottky diodes are in a good agreement with "barrier inhomogeneous model" of Schottky contacts. In temperatures between 20-150 K and 150-300 K, show a double slope structure in a harmony of "The double Gaussian model" of Schottky contacts. In addition, the characteristic parameters as series resistance, carrier concentration, diffusion potential and Fermi energy values are calculated from temperature dependent I-V and C-V characteristics.
doi:10.18185/erzifbed.376279 fatcat:vugczs2z4ffxri5lboqhlpku3u