MEKANISME PEMBENTUKAN TITANIUM SILIKON KARBIDA DARI SISTEM Ti-SiC-C[The Mechanisme of Titanium Silicon Carbide in Ti-SiC-C System]

Solihin Solihin
2017 Metalurgi  
Intisari MEKANISME PEMBENTUKAN TITANIUM SILIKON KARBIDA DARI SISTEM Ti-SiC-C. Titanium silikon karbida telah dapat dihasilkan dari sistem Ti-SiC-C melalui teknik plasma discharge sintering (PDS) pada temperatur 1300 °C. Mekanisme pembentukan Ti 3 SiC 2 pada temperatur ini didahului oleh pembentukan fasa intermediate, TiC and Ti 5 Si 3 pada temperatur 700-900 °C. Ti 3 SiC 2 baru terbentuk pada 1300 °C melalui reaksi antar padatan antara fasa intermediate TiC and Ti 5 Si 3 . Hasil akhir yang
more » ... sil akhir yang didapat adalah komposit dengan Ti 3 SiC 2 sebagai matriks dan TiC sebagai fasa terdistribusi. Abstract THE MECHANISME OF TITANIUM SILICON CARBIDE IN Ti-SiC-C SYSTEM. Titanium silicon carbide can be synthesized from raw material
doi:10.14203/metalurgi.v28i3.259 fatcat:zcv25v7razecvmpe3vs3nnckcy