Crescimento de diamante CVD em substratos de silício de grande área

João Roberto Moro, Vladimir Jesus Trava-Airoldi, Evaldo José Corat, João Eichenberger Neto, Amaurí Amorim, Arnaldo Ribeiro Alves
2010 Rem : Revista Escola de Minas  
Realizaram-se crescimentos de filmes de diamante por deposição química de vapor (CVD, do inglês Chemical Vapor Deposition) em substratos de silício (100), de grande área (80 cm²), em um reator de filamento quente (HFCVD), com taxas de crescimento superiores a 1,5 µm/h. Foi realizado o crescimento das amostras com diferentes fluxos gasosos e diferentes porcentagens de metano (CH4) em hidrogênio (H2). As amostras foram caracterizadas por microscopia óptica, eletrônica de varredura e por
more » ... ura e por espectroscopia de espalhamento Raman. Tais análises acusaram a presença de diamante de alta pureza em todas as amostras.
doi:10.1590/s0370-44672010000200011 fatcat:hf6oxdscpbho5gbhlfbez2vdzq