Computer Simulation of Gallium Arsenide Super Beta Transistors Heterostructures for High-Speed BIS

S. P. Novosyadlyi, V. S. Huzik
2015 Фізика і хімія твердого тіла  
Комп'ютерне моделювання арсенід галієвих супер бетатранзисторів на гетероструктурах для швидкодіючих ВІС Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника, вул. Шевченка, 57, м. Іванл-Франківськ, 76018, Україна Серед напівпровідників на широті використання в мікроелектроніці для створення цифрових мікросхем арсенід був і залишився основним матеріалом. Разом з тим почали інтенсивно впроваджувати мікросхеми на основі арсеніду галію. Арсенідгалієві мікросхеми в силу високої рухливості
more » ... високої рухливості носіїв заряду мають частотний діапазон функціонування недосягаючий для мікросхем на основі кремнію (Si). Ключові слова:супер бета-транзистор, гетероструктура, арсенід галію, кремній, реактори електронно-циклотронного резонансу. Стаття поступила до редакції 02.12.2015; прийнята до друку 15.06.2015.
doi:10.15330/pcss.16.3.599-605 fatcat:5iwnhyenqrau7f6nl25e332zo4