The spectra of growth traps in gallium nitride
Спектры ростовых ловушек нитрида галлия

P.A. Brudnyi, Tomsk State University, Tomsk
2019 Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Fizika  
Проанализированы энергетические спектры ростовых ловушек в эпитаксиальных слоях нелегированного и легированного нитрида галлия, выращенного в различных технологических условиях. Ключевые слова: эпитаксиальные слои GaN, ростовые ловушки.
doi:10.17223/00213411/62/12/69 fatcat:rtid36jibzf35p3sfznuf7ktrm