РЕЛАКСАЦИОННЫЕ ПРОЦЕССЫ В СИСТЕМЕ Si -SiO2

Х.С. Далиев
2018 «Узбекский физический журнал»  
С помощью метода CC-DLTS изучены свойства переходного слоя Si−SiO2 и релаксационные процессы в системе Si–SiO2. Определена схема различных электронных процессов релаксации заряда, происходящих в кремниевых МДП-структурах.
doi:10.52304/.v20i5.106 fatcat:6ijm7o7g7zds3cqsowg2b66imy