MgTiO3 Thin Films Synthesis by Sol Gel Method

widya Angreni, Mursal Mursal, Elin Yusibani
2018 Journal of Aceh Physics Society  
Telah dilakukan sintesa lapisan tipis MgTiO3 dengan menggunakan metode Sol Gel. Lapisan tipis MgTiO3 dibuat dengan mencampurkan TiO dan MgSO4 sebagai prekursor. Larutan ini kemudian diaduk selama 1 jam agar campuran menjadi homogen dengan menggunakan magnetic stirrer. Lapisan tipis MgTiO3 dipanaskan dengan variasi suhu mulai dari 300, 400, 500 dan 60oC selama 1 jam. Berdasarkan hasil pengujian XRD menunjukkan bahwa pada suhu 300 - 500oC nilai ukuran butir kristal semakin besar, sementara pada
more » ... r, sementara pada suhu 600oC ukuran butir kristal mengecil. Struktur kristal yang terbentuk dari lapisan tipis MgTiO3 adalah rutil. Hasil SEM menunjukkan lapisan MgTiO3 terdeposisi dengan baik yang ditunjukkan dengan tidak munculnya retakan pada permukaan lapisan serta terdapat adanya pori yang terbentuk dan ketebalan lapisan tipis MgTiO3 berkisar antara 1,67 – 1,79 µm. Hasil pengujian UV-Vis menunjukkan suhu pemanasan mempengaruhi turunnya nilai band gap. Semakin tinggi suhu pemanasan semakin kecil band gap yang dihasilkan, yaitu pada suhu 300oC bernilai 3,22 eV dan pada suhu 600oC bernilai 3,02 eV. MgTiO3 thin films synthesis has been done using Sol Gel method. The MgTiO3 thin films is made by mixing TiO and MgSO4 as precursors. This solution is then stirred for 1 h to have homogeneous mixture by using a magnetic stirrer. The MgTiO3 thin films is heated with temperature variations range of 300, 400, 500 and 600°C for 1 h. Based on XRD test showed that at 300 - 500 oC value of crystalline grain size was increased, while at 600oC the size of crystal grains decreased. The crystalline structure formed from a thin films of MgTiO3 is rutile. The SEM results show a well-deposited MgTiO3 films which is indicated by the absence of cracks on the surface of the coating and there is a pore formed and the thickness of the MgTiO3 thin films range of 1.67 to 1.79 μm. UV-Vis test show that the heating temperature affects the decrease in band gap value. The higher the heating temperature give the smallerof band gap, ie at a temperature of 300oC worth 3.22 [...]
doaj:98acb37dad634e13889c2bb639bcac72 fatcat:udtc7apey5bjzoruxfb552su2m