Les relations de base pour le calcul du photopotentiel [1] de surface A Y en fonction de L (nombre de pbôtons effectivement absorbés) pour un semiconducteur non dégénéré (validité de statistique de Boltzman) sont : lV et P déterminent les niveaux quasi-Fermi, on a et l'équation de Poisson On admet que la fréquence de modulation du faisceau lumineux incident est suffisamment élevée pour que les centres recombinants c. r. > lents n'arrivent pas à suivre les variations du potentiel à la surface

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... e du semiconducteur. Dans ces conditions on a à satisfaire la relation : p : la densité de la charge des porteurs d'un point quelconque de la zone de charge d'espace. Ja(Na) la charge de c. r. > rapides-donneurs. O"b(Nb) la charge de c. r. > ra ides-accepteurs. N a Nb la densité des c. r. & # x 3 E ; multiplié par un facteur Boltzman. On trouve pour nn semi-condiieteiir dont l'épaisseur est 'O ldiff 7 Ses : la vitesse de recombinaison à la surface. la vitesse de recombinaison en volume ldiff la longueur de Debye. On distingue deux cas principaux : CAS I. -Na, Nb -+ 0 c'est-à-dire on peut négliger la densité des c. r. > rapides donneur, accepteurs. On trouve comme solution de l'équation différentielle (2) Y : le potentiel à la surface ; Y = Y + A Y. Nous admettons Y 0 non limité, mais eAY = 1 + AY ; On se contente du terme linéaire du développement. Dans ces conditions : . Le photopotentiel à Y est donné par On voit que l'expression pour A Y peut être écrite comme suit : CAS II. -Na, Nb ~ 0 mais le rapport Na/1Vb reste fini. L'équation (1) devient Article published online by EDP Sciences and available at http://dx.