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Explanation of the large spin-dependent recombination effect in semiconductors
1978
Journal de Physique Lettres
2014 Les théories précédentes concernant la variation de photoconductivité à la résonance de spin (expériences de Lépine dans le silicium) prédisent un effet de 10 à 100 fois trop faible. Nous proposons un modèle où, par suite du temps de vie plus court d'une paire électron-trou en configuration singulet, la distribution des spins des paires contient un surplus d'états triplets. Ce surplus est supprimé par saturation de la résonance, ce qui raccourcit ainsi le temps de recombinaison. La
doi:10.1051/jphyslet:0197800390405100
fatcat:ljhl5nv6szdp3optf26gbnq57m