On étudie l'influence de différents effets de surface sur la mesure de la longueur de diffusion par la méthode de la fente lumineuse (Méthode Valdès) sur le silicium. L'étude théorique et expérimentale montre l'importance que peuvent prendre les courants dans la couche d'inversion à la surface pour l'interprétation des résultats expérimentaux. Abstract. 2014 The influence of different surface effects on the measurement of the diffusion length by the travelling light spot method (Valdes Method)

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... n silicon is discussed. The theoretical and experimental investigation shows the importance of currents in the inversion layer of the surface for the interpretation of experimental results.